放射治疗的中子屏蔽防护（三）
青岛市疾病预防控制中心2021-07-30 00:00:00.0信息来源：青岛疾控中心 浏览：234次
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05.直线加速器中子的产生
直线加速器头部的金属材料主要包括钨（W），铅（Pb）铁，铜和铝。其中高原子序数的成分，包括加速器的靶，初级准直器，次级准直器，楔形板 (wedge)，均整器和多叶准直光栅是产生中子的主要来源。
在外照射放疗产生的中子能量范围内，可惜屏蔽射线的准直器与光栅（钨和铅）具有非常低的吸收截面。因此，中子有很大的机会穿透这些屏蔽层，并到达患者和射线屏蔽墙。
06.中子在机房内的影响
中子离开机头后，它们变得向各向同性 (isotropic)，并且随着它们在房间及迷路内的多次散射而能量降低。
X射线靶附近的光子通量最大。在治疗区域中的中子剂量率约为X射线剂量率的0.1%，可认为中子造成的患者吸收剂量可忽略不计。TPS算法也没有将中子增加的病人剂量纳入受辐射剂量计算。
IMRT比非IMRT包含多得多的MU，但在任何给定时间仅一部分射野是开着的，因此，主屏蔽 (primary barrier) 通常保持不变，但机头泄漏 (radiation leakage) 与MU的数量成正比，次级屏蔽 (secondary barrier) 的工作量 (work load) 会增加（work load 是传统的2-5倍）。
为了减少中子的产生，可以尽量减少高能光子的使用，特别是对于高MU的治疗（如IMRT）。
中子可以将加速器部件放射性活化，但这些活化的同位素半衰期很短 (从几秒到小时)，所以不会随时间增加而累积。
